Общие сведения

Теоретическая мощность PlayStation 3 составит два триллиона операций с плавающей точкой в секунду (2.18 TFLOPS), что в 35 раз превосходит возможности PlayStation 2. Приставка будет поддерживать и базироваться на открытых API.

Центральный процессор
Основная статья: Cell

Кристалл процессора Cell

Совместными усилиями инженеров IBM и Sony для PS3 был разработан эксклюзивный многоядерный процессор Cell BE, работающий на частоте 3,2 ГГц. Основной блок (PPE) основан на процессоре PowerPC от IBM и имеет восемь синергических ядер (SPE). PPE имеет 512 Кб кэша второго уровня L2 и один блок векторных вычислений VMX (AltiVec). Каждое из 8-ми SPE-ядер — это RISC-процессор со 128-битными SIMD и суперскаллярными функциями. Синергические ядра имеют по 256 Кб программно-адресуемой SRAM-памяти.

Рабочими являются только семь ядер, восьмое — дополнительное и предназначено для улучшения производительности путём распределения мощности между остальными ядрами. Если одно из восьми ядер получит дефект при производстве, то оно может быть отключёно без необходимости объявления дефектности всего процессора.

Графический процессор

Чип RSX или «Синтезатор реальности» был разработан компаниями NVidia и Sony и его основные технические характеристики следующие:
Чип: NVidia NV47
Частота: 550 МГц
Теоретическая мощность вычислений встроенных и программируемых функций: 1,8 TFLOPS (триллионов операций с плавающей точкой в секунду)
Полный высококачественный вывод (до HDTV) на 2 канала
В графическом процессоре используются многоканальные программируемые параллельные шейдерные конвейеры, которые используют вычисления с плавающей точкой
136 шейдерных операций за проход
74,8 миллиарда шейдерных операций в секунду (100 миллиардов вместе с центральным процессором)
33 миллиарда скаллярных произведений в секунду (51 миллиард вместе с CPU)
128-битная точность пикселя используется для качественной отрисовки сцен с HDR
256 МБ графической памяти

Память

Используется два вида памяти — основная высокопроизводительная память Rambus XDR и дополнительная GDDR3:
256 МБ Rambus XDR DRAM, работающая на частоте CPU (3,2 ГГц)
256 МБ GDDR3 VRAM, частота — 700 МГц

Теоретическая пропускная способность системы
25.6 Гб/с для главной памяти XDR DRAM: 64 бита × 3.2 ГГц
22.4 Гб/с для GDDR3 VRAM: 128 бит × 700 Мгц × 2 доступа к памяти за один проход
RSX 20 Гб/с (запись), 15 Гб/с (чтение)
SB 2.5 Гб/с (запись), 2.5 Гб/с (чтение)
204.8 Гб/с Cell Element Interconnect Bus (теоретическая пиковая производительность)
Cell FlexIO Bus: 35 Гб/с исходящий, 25 Гб/с входящий (7 исходящих и 5 входящих каналов шириной 1 Байт, оперирующих на частоте до 5 ГГц). Эффективная пропускная способность обычно составляет 50-80 % от общей.